SI7625DN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7625DN  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 452 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-1212-8

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SI7625DN datasheet

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SI7625DN

New Product Si7625DN Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.007 at VGS = - 10 V - 35d TrenchFET Power MOSFET - 30 39.5 nC 100% Rg Tested 0.011 at VGS = - 4.5 V - 35d 100% UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK 1

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SI7625DN

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SI7625DN

New Product Si7623DN Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0038 at VGS = - 10 V - 35a Material categorization 0.0053 at VGS = - 4.5 V - 20 - 35a 55.5 nC For definitions of compliance please see 0.0090 at VGS = - 2.5 V

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SI7625DN

New Product Si7629DN Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0046 at VGS = - 10 V - 35a Material categorization - 20 0.0062 at VGS = - 4.5 V - 35a 59 nC For definitions of compliance please see 0.0117 at VGS = - 2.5 V - 35a www.v

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