SI7634BDP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI7634BDP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.6 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7634BDP

SI7634BDP Datasheet (PDF)

..1. Size:475K vishay
si7634bdp.pdf

New ProductSi7634BDPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0054 at VGS = 10 V 40gCOMPLIANT 100 % Rg Tested30 21.5 nC0.007 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Avalanche TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Notebook PC CoreS- Low

6.1. Size:473K vishay
si7634bd.pdf

8.1. Size:90K vishay
si7634dp.pdf

Si7634DPNew ProductVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ) 100 % Rg TestedRoHS0.0052 at VGS = 10 V 40COMPLIANT30 21 nC0.0076 at VGS = 4.5 V 40APPLICATIONS Notebook PC core- Low sidePowerPAK SO-8- High sideDS6.15 mm 5.15 mm1S2S3G4D

9.1. Size:508K vishay
si7633dp.pdf

New ProductSi7633DPVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0033 at VGS = - 10 V - 60- 20 85 nC 100 % UIS Tested0.0055 at VGS = - 4.5 V - 60APPLICATIONSPowerPAK SO-8 Adaptor SwitchSS6.15 mm 5.15 mm1S2S3G4GD8D7

9.2. Size:465K vishay
si7636dp.pdf

Si7636DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.004 at VGS = 10 V 28 Ultra-Low On-Resistance Using High Density 30 36TrenchFET Gen II Power MOSFET Technology0.0048 at VGS = 4.5 V 25 Qg Optimized New Low Thermal Resistance PowerPAK

9.3. Size:315K vishay
si7635dp.pdf

Si7635DPVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0049 at VGS = 10 V - 40 TrenchFET Power MOSFET- 20 21.5 nC0.0075 at VGS = 4.5 V - 40 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Load S

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Liste

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