SI7634BDP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI7634BDP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.6 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
SI7634BDP Datasheet (PDF)
si7634bdp.pdf
New ProductSi7634BDPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0054 at VGS = 10 V 40gCOMPLIANT 100 % Rg Tested30 21.5 nC0.007 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Avalanche TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Notebook PC CoreS- Low
si7634bd.pdf
New ProductSi7634BDPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0054 at VGS = 10 V 40gCOMPLIANT 100 % Rg Tested30 21.5 nC0.007 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Avalanche TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Notebook PC CoreS- Low
si7634dp.pdf
Si7634DPNew ProductVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ) 100 % Rg TestedRoHS0.0052 at VGS = 10 V 40COMPLIANT30 21 nC0.0076 at VGS = 4.5 V 40APPLICATIONS Notebook PC core- Low sidePowerPAK SO-8- High sideDS6.15 mm 5.15 mm1S2S3G4D
si7633dp.pdf
New ProductSi7633DPVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0033 at VGS = - 10 V - 60- 20 85 nC 100 % UIS Tested0.0055 at VGS = - 4.5 V - 60APPLICATIONSPowerPAK SO-8 Adaptor SwitchSS6.15 mm 5.15 mm1S2S3G4GD8D7
si7636dp.pdf
Si7636DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.004 at VGS = 10 V 28 Ultra-Low On-Resistance Using High Density 30 36TrenchFET Gen II Power MOSFET Technology0.0048 at VGS = 4.5 V 25 Qg Optimized New Low Thermal Resistance PowerPAK
si7635dp.pdf
Si7635DPVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0049 at VGS = 10 V - 40 TrenchFET Power MOSFET- 20 21.5 nC0.0075 at VGS = 4.5 V - 40 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Load S
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SIHFBE20 | WMM10N70C4 | WMM028N10HGS | AOT462 | FQPF17N08L
History: SIHFBE20 | WMM10N70C4 | WMM028N10HGS | AOT462 | FQPF17N08L
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918