SI7636DP Todos los transistores

 

SI7636DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7636DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 28 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 860 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI7636DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:465K  vishay
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SI7636DP

Si7636DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.004 at VGS = 10 V 28 Ultra-Low On-Resistance Using High Density 30 36TrenchFET Gen II Power MOSFET Technology0.0048 at VGS = 4.5 V 25 Qg Optimized New Low Thermal Resistance PowerPAK

 9.1. Size:508K  vishay
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SI7636DP

New ProductSi7633DPVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0033 at VGS = - 10 V - 60- 20 85 nC 100 % UIS Tested0.0055 at VGS = - 4.5 V - 60APPLICATIONSPowerPAK SO-8 Adaptor SwitchSS6.15 mm 5.15 mm1S2S3G4GD8D7

 9.2. Size:473K  vishay
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SI7636DP

New ProductSi7634BDPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0054 at VGS = 10 V 40gCOMPLIANT 100 % Rg Tested30 21.5 nC0.007 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Avalanche TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Notebook PC CoreS- Low

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SI7636DP

Si7635DPVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0049 at VGS = 10 V - 40 TrenchFET Power MOSFET- 20 21.5 nC0.0075 at VGS = 4.5 V - 40 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Load S

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