SI7636DP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7636DP 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 860 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
Encapsulados: POWERPAK-SO-8
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SI7636DP datasheet
si7633dp.pdf
New Product Si7633DP Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0033 at VGS = - 10 V - 60 - 20 85 nC 100 % UIS Tested 0.0055 at VGS = - 4.5 V - 60 APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Adaptor Switch S S 6.15 mm 5.15 mm 1 S 2 S 3 G 4 G D 8 D 7
si7634bd.pdf
New Product Si7634BDP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0054 at VGS = 10 V 40g COMPLIANT 100 % Rg Tested 30 21.5 nC 0.007 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Avalanche Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Notebook PC Core S - Low
si7635dp.pdf
Si7635DP Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition 0.0049 at VGS = 10 V - 40 TrenchFET Power MOSFET - 20 21.5 nC 0.0075 at VGS = 4.5 V - 40 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Load S
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: HAT2275R | IPB024N10N5 | DH100P28B | AGM01P15D | SSM3J05FU | JMTG080P03A | FCB290N80
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Liste
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