Справочник MOSFET. SI7636DP

 

SI7636DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7636DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 860 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
 

 Аналог (замена) для SI7636DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7636DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:465K  vishay
si7636dp.pdfpdf_icon

SI7636DP

Si7636DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.004 at VGS = 10 V 28 Ultra-Low On-Resistance Using High Density 30 36TrenchFET Gen II Power MOSFET Technology0.0048 at VGS = 4.5 V 25 Qg Optimized New Low Thermal Resistance PowerPAK

 9.1. Size:508K  vishay
si7633dp.pdfpdf_icon

SI7636DP

New ProductSi7633DPVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0033 at VGS = - 10 V - 60- 20 85 nC 100 % UIS Tested0.0055 at VGS = - 4.5 V - 60APPLICATIONSPowerPAK SO-8 Adaptor SwitchSS6.15 mm 5.15 mm1S2S3G4GD8D7

 9.2. Size:473K  vishay
si7634bd.pdfpdf_icon

SI7636DP

New ProductSi7634BDPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0054 at VGS = 10 V 40gCOMPLIANT 100 % Rg Tested30 21.5 nC0.007 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Avalanche TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Notebook PC CoreS- Low

 9.3. Size:315K  vishay
si7635dp.pdfpdf_icon

SI7636DP

Si7635DPVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0049 at VGS = 10 V - 40 TrenchFET Power MOSFET- 20 21.5 nC0.0075 at VGS = 4.5 V - 40 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Load S

Другие MOSFET... SI7620DN , SI7621DN , SI7623DN , SI7625DN , SI7629DN , SI7633DP , SI7634BDP , SI7635DP , 10N60 , SI7655ADN , SI7655DN , SI7658ADP , SI7664DP , SI7668ADP , SI7674DP , SI7682DP , SI7686DP .

History: AP9990GMT | LSD60R1K4HT | RHU003N03FRA | BUZ91A | CMPDM7002AG | AOB9N70L | SI7840BDP

 

 
Back to Top

 


 
.