SI7655DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI7655DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 890 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8S

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7655DN

SI7655DN Datasheet (PDF)

..1. Size:215K vishay
si7655dn.pdf

New ProductSi7655DNVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Small Size and Low 0.75 mm 0.0036 at VGS = - 10 V - 40eProfile- 20 0.0048 at VGS = - 4.5 V - 40e 72 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0085 at VGS = - 2.5 V - 40e

8.1. Size:225K vishay
si7655adn.pdf

Si7655ADNVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Small Size and Low 0.75 mm 0.0036 at VGS = - 10 V - 40eProfile- 20 0.0048 at VGS = - 4.5 V - 40e 72 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0090 at VGS = - 2.5 V - 40e Materia

9.1. Size:90K vishay
si7652dp.pdf

Si7652DPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0185 at VGS = 10 V 15 TrenchFET Power MOSFETs300.030 at VGS = 4.5 V 12 High-Efficient PWM Optimized 100 % Rg and UIS TestedPowerPAK SO-8DS6.15 mm 5.15 mm1S2S3G

9.2. Size:505K vishay
si7658ad.pdf

New ProductSi7658ADPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFETRoHS0.0022 at VGS = 10 V 60gCOMPLIANT 100 % Rg Tested30 34 nC0.0028 at VGS = 4.5 V 60g 100 % Avalanche TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Low-Side Switch for DC/D

9.3. Size:508K vishay
si7658adp.pdf

9.4. Size:94K vishay
si7658dp.pdf

Si7658DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS0.0024 at VGS = 10 V 60gCOMPLIANT 100 % Rg Tested30 48.5 nC0.00325 at VGS = 4.5 V 60g 100 % Avalanche TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Low-side Switch for DC/DC ConvertersS

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History: CS20N90ANRD

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: