SI7655DN datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SI7655DN 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 890 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-1212-8S
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SI7655DN
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI7655DN даташит
si7655dn.pdf
New Product Si7655DN Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 0.75 mm 0.0036 at VGS = - 10 V - 40e Profile - 20 0.0048 at VGS = - 4.5 V - 40e 72 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0085 at VGS = - 2.5 V - 40e
si7655adn.pdf
Si7655ADN Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 0.75 mm 0.0036 at VGS = - 10 V - 40e Profile - 20 0.0048 at VGS = - 4.5 V - 40e 72 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0090 at VGS = - 2.5 V - 40e Materia
si7652dp.pdf
Si7652DP Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0185 at VGS = 10 V 15 TrenchFET Power MOSFETs 30 0.030 at VGS = 4.5 V 12 High-Efficient PWM Optimized 100 % Rg and UIS Tested PowerPAK SO-8 D S 6.15 mm 5.15 mm 1 S 2 S 3 G
si7658ad.pdf
New Product Si7658ADP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFET RoHS 0.0022 at VGS = 10 V 60g COMPLIANT 100 % Rg Tested 30 34 nC 0.0028 at VGS = 4.5 V 60g 100 % Avalanche Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Low-Side Switch for DC/D
Другие IGBT... SI7623DN, SI7625DN, SI7629DN, SI7633DP, SI7634BDP, SI7635DP, SI7636DP, SI7655ADN, AON6414A, SI7658ADP, SI7664DP, SI7668ADP, SI7674DP, SI7682DP, SI7686DP, SI7703EDN, SI7716ADN
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: VBE2102M | JMTG130P04A | VBE165R04
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet






