SI7664DP Todos los transistores

 

SI7664DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7664DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 880 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0031 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
 

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SI7664DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:468K  vishay
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SI7664DP

Si7664DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0031 at VGS = 10 V 40COMPLIANT PWM Optimized30 37 nC0.0036 at VGS = 4.5 V 40 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package withLow 1.07 mm ProfilePowerPAK SO-8 100 % Rg, Ca

 9.1. Size:505K  vishay
 si7668adp.pdf pdf_icon

SI7664DP

Si7668ADPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.003 at VGS = 10 V 40 TrenchFET Power MOSFET30 52 nC0.0034 at VGS = 4.5 V 32 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Low-Side DC/DC ComversionPowerPAK SO-8- Notebook, Server, VRM Module

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History: PSMN5R8-40YS | GC11N65K

 

 
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