SI7664DP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI7664DP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 880 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI7664DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7664DP даташит

 ..1. Size:468K  vishay
 si7664dp.pdf pdf_icon

SI7664DP

Si7664DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0031 at VGS = 10 V 40 COMPLIANT PWM Optimized 30 37 nC 0.0036 at VGS = 4.5 V 40 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile PowerPAK SO-8 100 % Rg, Ca

 9.1. Size:505K  vishay
 si7668adp.pdf pdf_icon

SI7664DP

Si7668ADP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.003 at VGS = 10 V 40 TrenchFET Power MOSFET 30 52 nC 0.0034 at VGS = 4.5 V 32 100 % Rg Tested APPLICATIONS Low-Side DC/DC Comversion PowerPAK SO-8 - Notebook, Server, VRM Module

Другие IGBT... SI7629DN, SI7633DP, SI7634BDP, SI7635DP, SI7636DP, SI7655ADN, SI7655DN, SI7658ADP, IRF3710, SI7668ADP, SI7674DP, SI7682DP, SI7686DP, SI7703EDN, SI7716ADN, SI7718DN, SI7720DN