IRFS432 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFS432
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFS432

IRFS432 Datasheet (PDF)

0.1. Size:404K international rectifier
irfs4321-7ppbf.pdf

IRFS4321-7PPbF HEXFET Power MOSFET Application Motion Control Applications DVDSS 150V High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 11.7m Hard Switched and High Frequency Circuits G 14.7mmax SID 86A Benefits Low Rdson Reduces Losses Low Gate Charge Improves the Sw

0.2. Size:353K international rectifier
irfs4321pbf irfsl4321pbf.pdf

PD - 97105CIRFS4321PbFIRFSL4321PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl Motion Control ApplicationsVDSS 150Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSl Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ.12m:l Hard Switched and High Frequency Circuitsmax. 15m:Benefits85A cIDl Low RDSON Reduces Lossesl Low Gate Charge Improves the SwitchingD PerformanceDD

0.3. Size:258K inchange semiconductor
irfs4321.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS4321FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

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Liste

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