IRFS432 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRFS432 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFS432

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO3P

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IRFS432 datasheet

0.1. Size:404K international rectifier
irfs4321-7ppbf.pdf pdf_icon

IRFS4321-7PPbF HEXFET Power MOSFET Application Motion Control Applications D VDSS 150V High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 11.7m Hard Switched and High Frequency Circuits G 14.7m max S ID 86A Benefits Low Rdson Reduces Losses Low Gate Charge Improves the Sw

0.2. Size:353K international rectifier
irfs4321pbf irfsl4321pbf.pdf pdf_icon

PD - 97105C IRFS4321PbF IRFSL4321PbF Applications HEXFET Power MOSFET l Motion Control Applications VDSS 150V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 12m l Hard Switched and High Frequency Circuits max. 15m Benefits 85A c ID l Low RDSON Reduces Losses l Low Gate Charge Improves the Switching D Performance D D

0.3. Size:258K inchange semiconductor
irfs4321.pdf pdf_icon

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS4321 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volt

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