IRFS432. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS432

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для IRFS432

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS432 даташит

 0.1. Size:404K  international rectifier
 irfs4321-7ppbf.pdf pdf_icon

IRFS432

IRFS4321-7PPbF HEXFET Power MOSFET Application Motion Control Applications D VDSS 150V High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 11.7m Hard Switched and High Frequency Circuits G 14.7m max S ID 86A Benefits Low Rdson Reduces Losses Low Gate Charge Improves the Sw

 0.2. Size:353K  international rectifier
 irfs4321pbf irfsl4321pbf.pdf pdf_icon

IRFS432

PD - 97105C IRFS4321PbF IRFSL4321PbF Applications HEXFET Power MOSFET l Motion Control Applications VDSS 150V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 12m l Hard Switched and High Frequency Circuits max. 15m Benefits 85A c ID l Low RDSON Reduces Losses l Low Gate Charge Improves the Switching D Performance D D

 0.3. Size:258K  inchange semiconductor
 irfs4321.pdf pdf_icon

IRFS432

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS4321 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS343, IRFS350, IRFS350A, IRFS351, IRFS352, IRFS353, IRFS430, IRFS431, IRLZ44N, IRFS433, IRFS440, IRFS440A, IRFS441, IRFS442, IRFS443, IRFS450, IRFS450A