SI7674DP Todos los transistores

 

SI7674DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7674DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 98 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 910 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
 

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SI7674DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:481K  vishay
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SI7674DP

Si7674DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0033 at VGS = 10 V 40 Extremely Low Qgd for Switching Losses30 37 nC0.0046 at VGS = 4.5 V 40 100 % Rg Tested 100 % Capacitance TestedPowerPAK SO-8 100 % Avalanche Tested

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History: SQD40P10-40L | AP83T03AGMT-HF | NCEP090N20D | NCEP045N10G | NCEP048N85 | SSM09N70GP-A | SSM3310GJ

 

 
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