Справочник MOSFET. SI7674DP

 

SI7674DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7674DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 98 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 910 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7674DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:481K  vishay
 si7674dp.pdf pdf_icon

SI7674DP

Si7674DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0033 at VGS = 10 V 40 Extremely Low Qgd for Switching Losses30 37 nC0.0046 at VGS = 4.5 V 40 100 % Rg Tested 100 % Capacitance TestedPowerPAK SO-8 100 % Avalanche Tested

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: NTMS4101PR2 | NTMFS4C032N | CS5N70U | SI7212DN | RJK0355DSP | HM2P10PR

 

 
Back to Top

 


 
.