Справочник MOSFET. SI7674DP

 

SI7674DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7674DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 910 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
 

 Аналог (замена) для SI7674DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7674DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:481K  vishay
 si7674dp.pdf pdf_icon

SI7674DP

Si7674DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0033 at VGS = 10 V 40 Extremely Low Qgd for Switching Losses30 37 nC0.0046 at VGS = 4.5 V 40 100 % Rg Tested 100 % Capacitance TestedPowerPAK SO-8 100 % Avalanche Tested

Другие MOSFET... SI7634BDP , SI7635DP , SI7636DP , SI7655ADN , SI7655DN , SI7658ADP , SI7664DP , SI7668ADP , IRFP250N , SI7682DP , SI7686DP , SI7703EDN , SI7716ADN , SI7718DN , SI7720DN , SI7726DN , SI7738DP .

History: 2SJ198 | DHS046N10D

 

 
Back to Top

 


 
.