SI7674DP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI7674DP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 910 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI7674DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7674DP даташит

 ..1. Size:481K  vishay
 si7674dp.pdf pdf_icon

SI7674DP

Si7674DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0033 at VGS = 10 V 40 Extremely Low Qgd for Switching Losses 30 37 nC 0.0046 at VGS = 4.5 V 40 100 % Rg Tested 100 % Capacitance Tested PowerPAK SO-8 100 % Avalanche Tested

Другие IGBT... SI7634BDP, SI7635DP, SI7636DP, SI7655ADN, SI7655DN, SI7658ADP, SI7664DP, SI7668ADP, IRFB4115, SI7682DP, SI7686DP, SI7703EDN, SI7716ADN, SI7718DN, SI7720DN, SI7726DN, SI7738DP