SI7716ADN Todos los transistores

 

SI7716ADN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7716ADN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 187 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI7716ADN Datasheet (PDF)

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SI7716ADN

New ProductSi7716ADNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFET0.0135 at VGS = 10 V 16 100 % Rg TestedRoHS30 7.3 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.0165 at VGS = 4.5 V 16APPLICATIONSPowerPAK 1212-8 DC/DC Conversion- System Pow

 6.1. Size:546K  vishay
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SI7716ADN

New ProductSi7716ADNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFET0.0135 at VGS = 10 V 16 100 % Rg TestedRoHS30 7.3 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.0165 at VGS = 4.5 V 16APPLICATIONSPowerPAK 1212-8 DC/DC Conversion- System Pow

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SI7716ADN

New ProductSi7718DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)f Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.006 at VGS = 10 V 35g PWM OptimizedCOMPLIANT 30 13.7 nC 100 % Rg Tested0.0082 at VGS = 4.5 V 35g 100 % UIS TestedPowerPAK 1212-8APPLICATIONS High Side Switch- VR

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History: SSP4N55 | STB30NM50N

 

 
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