SI7716ADN MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SI7716ADN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7716ADN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 187 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-1212-8

Búsqueda de reemplazo de SI7716ADN MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SI7716ADN datasheet

..1. Size:537K vishay
si7716adn.pdf pdf_icon

New Product Si7716ADN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFET 0.0135 at VGS = 10 V 16 100 % Rg Tested RoHS 30 7.3 nC COMPLIANT 100 % UIS Tested 0.0165 at VGS = 4.5 V 16 APPLICATIONS PowerPAK 1212-8 DC/DC Conversion - System Pow

6.1. Size:546K vishay
si7716ad.pdf pdf_icon

9.1. Size:548K vishay
si7718dn.pdf pdf_icon

New Product Si7718DN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)f Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.006 at VGS = 10 V 35g PWM Optimized COMPLIANT 30 13.7 nC 100 % Rg Tested 0.0082 at VGS = 4.5 V 35g 100 % UIS Tested PowerPAK 1212-8 APPLICATIONS High Side Switch - VR

Otros transistores... SI7655DN, SI7658ADP, SI7664DP, SI7668ADP, SI7674DP, SI7682DP, SI7686DP, SI7703EDN, 7N65, SI7718DN, SI7720DN, SI7726DN, SI7738DP, SI7742DP, SI7748DP, SI7758DP, SI7772DP

SI7716ADN Todos los transistores