SI7718DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI7718DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 335 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7718DN

SI7718DN Datasheet (PDF)

..1. Size:548K vishay
si7718dn.pdf

New ProductSi7718DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)f Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.006 at VGS = 10 V 35g PWM OptimizedCOMPLIANT 30 13.7 nC 100 % Rg Tested0.0082 at VGS = 4.5 V 35g 100 % UIS TestedPowerPAK 1212-8APPLICATIONS High Side Switch- VR

9.1. Size:546K vishay
si7716ad.pdf

New ProductSi7716ADNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFET0.0135 at VGS = 10 V 16 100 % Rg TestedRoHS30 7.3 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.0165 at VGS = 4.5 V 16APPLICATIONSPowerPAK 1212-8 DC/DC Conversion- System Pow

9.2. Size:537K vishay
si7716adn.pdf

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Liste

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