SI7738DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7738DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
Búsqueda de reemplazo de SI7738DP MOSFET
SI7738DP Datasheet (PDF)
si7738dp.pdf

New ProductSi7738DPVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.038 at VGS = 10 V 150 30 35 nC TrenchFET Power MOSFET 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Primary Side SwitchS 6.15 mm 5.15 mm 1 D S 2 S 3 G 4
Otros transistores... SI7674DP , SI7682DP , SI7686DP , SI7703EDN , SI7716ADN , SI7718DN , SI7720DN , SI7726DN , 2N7000 , SI7742DP , SI7748DP , SI7758DP , SI7772DP , SI7774DP , SI7784DP , SI7788DP , SI7790DP .
History: CEF06N7 | 2SK1478 | IXFT12N100F | BRFL13N50 | CEF02N6G | 2SK65 | UTT25P10L-TQ2-T
History: CEF06N7 | 2SK1478 | IXFT12N100F | BRFL13N50 | CEF02N6G | 2SK65 | UTT25P10L-TQ2-T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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