SI7738DP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SI7738DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
Аналог (замена) для SI7738DP
SI7738DP Datasheet (PDF)
si7738dp.pdf

New ProductSi7738DPVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.038 at VGS = 10 V 150 30 35 nC TrenchFET Power MOSFET 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Primary Side SwitchS 6.15 mm 5.15 mm 1 D S 2 S 3 G 4
Другие MOSFET... SI7674DP , SI7682DP , SI7686DP , SI7703EDN , SI7716ADN , SI7718DN , SI7720DN , SI7726DN , IRLZ44N , SI7742DP , SI7748DP , SI7758DP , SI7772DP , SI7774DP , SI7784DP , SI7788DP , SI7790DP .
History: HTJ500P03 | BL2N60-P | IRFH5300PBF | CS6798 | RQ1A060ZPTR | P8010BV
History: HTJ500P03 | BL2N60-P | IRFH5300PBF | CS6798 | RQ1A060ZPTR | P8010BV



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118