SI7784DP Todos los transistores

 

SI7784DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7784DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 335 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
 

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SI7784DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:479K  vishay
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SI7784DP

New ProductSi7784DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.006 at VGS = 10 V 35gCOMPLIANT 100 % Rg Tested30 13.7 nC0.0082 at VGS = 4.5 V 35g 100 % UIS TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Synchronous Rectification DC/DC

 9.1. Size:510K  vishay
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SI7784DP

New ProductSi7788DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS0.0031 at VGS = 10 V 50 100 % Rg and UIS TestedCOMPLIANT 30 37 nC0.0041 at VGS = 4.5 V 50APPLICATIONSPowerPAK SO-8 Low-Side DC/DC Conversion- Notebook- GamingD S

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History: AM2360N | FDPF5N60NZ | RJK6054DPP-M0 | IRF6655 | CEM3128 | CS6N70CF | PMZ390UN

 

 
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