SI7784DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI7784DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

Аналог (замена) для SI7784DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7784DP даташит

 ..1. Size:479K  vishay
 si7784dp.pdf pdf_icon

SI7784DP

New Product Si7784DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.006 at VGS = 10 V 35g COMPLIANT 100 % Rg Tested 30 13.7 nC 0.0082 at VGS = 4.5 V 35g 100 % UIS Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Synchronous Rectification DC/DC

 9.1. Size:510K  vishay
 si7788dp.pdf pdf_icon

SI7784DP

New Product Si7788DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0031 at VGS = 10 V 50 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 30 37 nC 0.0041 at VGS = 4.5 V 50 APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Low-Side DC/DC Conversion - Notebook - Gaming D S

Другие IGBT... SI7720DN, SI7726DN, SI7738DP, SI7742DP, SI7748DP, SI7758DP, SI7772DP, SI7774DP, IRLB4132, SI7788DP, SI7790DP, SI7792DP, SI7794DP, SI7802DN, SI7804DN, SI7806ADN, SI7810DN