SI7784DP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SI7784DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
Аналог (замена) для SI7784DP
SI7784DP Datasheet (PDF)
si7784dp.pdf

New ProductSi7784DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.006 at VGS = 10 V 35gCOMPLIANT 100 % Rg Tested30 13.7 nC0.0082 at VGS = 4.5 V 35g 100 % UIS TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Synchronous Rectification DC/DC
si7788dp.pdf

New ProductSi7788DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS0.0031 at VGS = 10 V 50 100 % Rg and UIS TestedCOMPLIANT 30 37 nC0.0041 at VGS = 4.5 V 50APPLICATIONSPowerPAK SO-8 Low-Side DC/DC Conversion- Notebook- GamingD S
Другие MOSFET... SI7720DN , SI7726DN , SI7738DP , SI7742DP , SI7748DP , SI7758DP , SI7772DP , SI7774DP , 5N60 , SI7788DP , SI7790DP , SI7792DP , SI7794DP , SI7802DN , SI7804DN , SI7806ADN , SI7810DN .
History: CM800 | SIA907EDJT | SSM3K56FS
History: CM800 | SIA907EDJT | SSM3K56FS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073