SI7790DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7790DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 475 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8

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SI7790DP datasheet

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SI7790DP

New Product Si7790DP Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0045 at VGS = 10 V 50 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 40 29 nC 0.006 at VGS = 4.5 V 50 APPLICATIONS PowerPAK SO-8 DC/DC Converter D S 6.15 mm 5.15 mm 1 S 2

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SI7790DP

New Product Si7792DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III 0.0021 at VGS = 10 V 60 30 41 nC Power MOSFET and Schottky Diode 0.0026 at VGS = 4.5 V 60 100 % Rg Tested 100 % Av

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SI7790DP

New Product Si7794DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0034 at VGS = 10 V SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III 60 30 23 nC Power MOSFET and Schottky Diode 0.0042 at VGS = 4.5 V 60 100 % Rg Tested 100 % Aval

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