SI7794DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7794DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7794DP
SI7794DP Datasheet (PDF)
si7794dp.pdf
New ProductSi7794DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0034 at VGS = 10 V SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III 6030 23 nCPower MOSFET and Schottky Diode0.0042 at VGS = 4.5 V 60 100 % Rg Tested 100 % Aval
si7792dp.pdf
New ProductSi7792DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Definition SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III 0.0021 at VGS = 10 V 6030 41 nC Power MOSFET and Schottky Diode0.0026 at VGS = 4.5 V 60 100 % Rg Tested 100 % Av
si7790dp.pdf
New ProductSi7790DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0045 at VGS = 10 V 50 100 % Rg and UIS TestedCOMPLIANT 40 29 nC0.006 at VGS = 4.5 V 50APPLICATIONSPowerPAK SO-8 DC/DC ConverterD S 6.15 mm 5.15 mm 1 S 2
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