SI7794DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI7794DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 28.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 60 nC
Время нарастания (tr): 16 ns
Выходная емкость (Cd): 630 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0034 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
SI7794DP Datasheet (PDF)
si7794dp.pdf
New ProductSi7794DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0034 at VGS = 10 V SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III 6030 23 nCPower MOSFET and Schottky Diode0.0042 at VGS = 4.5 V 60 100 % Rg Tested 100 % Aval
si7792dp.pdf
New ProductSi7792DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Definition SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III 0.0021 at VGS = 10 V 6030 41 nC Power MOSFET and Schottky Diode0.0026 at VGS = 4.5 V 60 100 % Rg Tested 100 % Av
si7790dp.pdf
New ProductSi7790DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0045 at VGS = 10 V 50 100 % Rg and UIS TestedCOMPLIANT 40 29 nC0.006 at VGS = 4.5 V 50APPLICATIONSPowerPAK SO-8 DC/DC ConverterD S 6.15 mm 5.15 mm 1 S 2
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
