SI7806ADN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7806ADN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-1212-8

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SI7806ADN datasheet

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SI7806ADN

Si7806ADN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.011 at VGS = 10 V 14 TrenchFET Power MOSFET 30 0.016 at VGS = 4.5 V 12 PWM Optimized New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested APPLICATIONS P

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SI7806ADN

Si7806DN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) Available PWM Optimized 0.011 at VGS = 10 V 14.4 RoHS* New Low Thermal Resistance PowerPAK 30 COMPLIANT Package with Low 1.07-mm Profile 0.0175 at VGS = 4.5 V 12.6 APPLICATIONS DC/DC Converters Secondary Sy

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SI7806ADN

Si7804DN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0185 at VGS = 10 V 10 TrenchFET Power MOSFET 30 0.030 at VGS = 4.5 V 8 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested PowerPAK 1212-8 APPL

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SI7806ADN

Si7802DN Vishay Siliconix N-Channel 250-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.435 at VGS = 10 V 1.95 PWM-Optimized TrenchFET Power MOSFET 250 0.445 at VGS = 6 V 1.9 Avalanche Tested 100 % Rg Tested APPLICATIONS PowerPAK 1212-8 Primary Side Switch Small DC/DC

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