SI7806ADN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI7806ADN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
Аналог (замена) для SI7806ADN
SI7806ADN Datasheet (PDF)
si7806adn.pdf

Si7806ADNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.011 at VGS = 10 V 14 TrenchFET Power MOSFET300.016 at VGS = 4.5 V 12 PWM Optimized New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg TestedAPPLICATIONSP
si7806dn.pdf

Si7806DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)Available PWM Optimized0.011 at VGS = 10 V 14.4RoHS* New Low Thermal Resistance PowerPAK30COMPLIANTPackage with Low 1.07-mm Profile0.0175 at VGS = 4.5 V 12.6APPLICATIONS DC/DC Converters Secondary Sy
si7804dn.pdf

Si7804DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0185 at VGS = 10 V 10 TrenchFET Power MOSFET300.030 at VGS = 4.5 V 8 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested PowerPAK 1212-8APPL
si7802dn.pdf

Si7802DNVishay SiliconixN-Channel 250-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.435 at VGS = 10 V 1.95 PWM-Optimized TrenchFET Power MOSFET2500.445 at VGS = 6 V 1.9 Avalanche Tested 100 % Rg TestedAPPLICATIONSPowerPAK 1212-8 Primary Side Switch Small DC/DC
Другие MOSFET... SI7774DP , SI7784DP , SI7788DP , SI7790DP , SI7792DP , SI7794DP , SI7802DN , SI7804DN , IRFB3607 , SI7810DN , SI7812DN , SI7818DN , SI7820DN , SI7840BDP , SI7846DP , SI7848BDP , SI7848DP .
History: NTB18N06G | IRF034 | BUK9K35-60E
History: NTB18N06G | IRF034 | BUK9K35-60E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747