SI7810DN Todos los transistores

 

SI7810DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7810DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.062 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
 

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SI7810DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  vishay
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SI7810DN

Si7810DNVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.062 at VGS = 10 V 5.4 New Low Thermal ResistanceRoHS100COMPLIANT0.084 at VGS = 6 V PowerPAK 1212-8 Package with Low 4.61.07 mm Profile PWM OptimizedAPPLICATIONS Primary Side

 9.1. Size:533K  vishay
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SI7810DN

Si7818DNVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.135 at VGS = 10 V 3.4 PWM-Optimized TrenchFET Power MOSFET150 20 nC0.142 at VGS = 6 V 3.3 100 % Rg Tested Avalanche TestedAPPLICATIONSPowerPAK 1212-8 Primary Side Switching

 9.2. Size:549K  vishay
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SI7810DN

Si7812DNVishay SiliconixN-Channel 75-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.037 at VGS = 10 V 16e TrenchFET Power MOSFET75 8 nC0.046 at VGS = 4.5 V 16e Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 1.07 mmProfilePowerPAK 1212-8APPLICATIONS

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History: 2SK2288 | VS4604AP | P2803NVG | IPA90R1K2C3 | FQD13N06TF | APT6029BFLL | RSD080P05FRA

 

 
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