SI7812DN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7812DN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-1212-8

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SI7812DN datasheet

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SI7812DN

Si7812DN Vishay Siliconix N-Channel 75-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Available 0.037 at VGS = 10 V 16e TrenchFET Power MOSFET 75 8 nC 0.046 at VGS = 4.5 V 16e Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile PowerPAK 1212-8 APPLICATIONS

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SI7812DN

Si7810DN Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.062 at VGS = 10 V 5.4 New Low Thermal Resistance RoHS 100 COMPLIANT 0.084 at VGS = 6 V PowerPAK 1212-8 Package with Low 4.6 1.07 mm Profile PWM Optimized APPLICATIONS Primary Side

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SI7812DN

Si7818DN Vishay Siliconix N-Channel 150-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Available 0.135 at VGS = 10 V 3.4 PWM-Optimized TrenchFET Power MOSFET 150 20 nC 0.142 at VGS = 6 V 3.3 100 % Rg Tested Avalanche Tested APPLICATIONS PowerPAK 1212-8 Primary Side Switching

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