SI7860ADP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7860ADP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
Encapsulados: POWERPAK-SO-8
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SI7860ADP datasheet
si7860dp.pdf
Si7860DP Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.008 at VGS = 10 V 18 TrenchFET Power MOSFET 30 PWM Optimized for High Efficiency 0.011 at VGS = 4.5 V 15 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile
si7864adp.pdf
Si7864ADP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETS 2.5 V Rated RoHS 0.003 at VGS = 4.5 V 29 COMPLIANT Low 3.5 m RDS(on) 20 57 0.0042 at VGS = 2.5 V 25 PWM (Qgd and Rg) Optimized 100 % Rg Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Low
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