SI7860ADP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI7860ADP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

Аналог (замена) для SI7860ADP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7860ADP даташит

 ..1. Size:465K  vishay
si7860adp si7880adp.pdfpdf_icon

SI7860ADP

 6.1. Size:462K  vishay
si7860ad.pdfpdf_icon

SI7860ADP

 8.1. Size:463K  vishay
si7860dp.pdfpdf_icon

SI7860ADP

Si7860DP Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.008 at VGS = 10 V 18 TrenchFET Power MOSFET 30 PWM Optimized for High Efficiency 0.011 at VGS = 4.5 V 15 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile

 9.1. Size:80K  vishay
si7864adp.pdfpdf_icon

SI7860ADP

Si7864ADP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETS 2.5 V Rated RoHS 0.003 at VGS = 4.5 V 29 COMPLIANT Low 3.5 m RDS(on) 20 57 0.0042 at VGS = 2.5 V 25 PWM (Qgd and Rg) Optimized 100 % Rg Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Low

Другие IGBT... SI7848BDP, SI7848DP, SI7850DP, SI7852ADP, SI7852DP, SI7856ADP, SI7858ADP, SI7858BDP, AO4407, SI7860DP, SI7862ADP, SI7866ADP, SI7868ADP, SI7880ADP, SI7882DP, SI7884BDP, SI7886ADP