Справочник MOSFET. SI7860ADP

 

SI7860ADP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7860ADP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7860ADP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:465K  vishay
si7860adp si7880adp.pdfpdf_icon

SI7860ADP

Si7860ADPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0095 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Power MOSFET300.0125 at VGS = 4.5 V PWM Optimized for High Efficiency16 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile

 6.1. Size:462K  vishay
si7860ad.pdfpdf_icon

SI7860ADP

Si7860ADPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0095 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Power MOSFET300.0125 at VGS = 4.5 V PWM Optimized for High Efficiency16 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile

 8.1. Size:463K  vishay
si7860dp.pdfpdf_icon

SI7860ADP

Si7860DPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.008 at VGS = 10 V 18 TrenchFET Power MOSFET30 PWM Optimized for High Efficiency0.011 at VGS = 4.5 V 15 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile

 9.1. Size:80K  vishay
si7864adp.pdfpdf_icon

SI7860ADP

Si7864ADPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETS: 2.5 V RatedRoHS0.003 at VGS = 4.5 V 29COMPLIANT Low 3.5 m RDS(on)20 570.0042 at VGS = 2.5 V 25 PWM (Qgd and Rg) Optimized 100 % Rg TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Low

Другие MOSFET... SI7848BDP , SI7848DP , SI7850DP , SI7852ADP , SI7852DP , SI7856ADP , SI7858ADP , SI7858BDP , P0903BDG , SI7860DP , SI7862ADP , SI7866ADP , SI7868ADP , SI7880ADP , SI7882DP , SI7884BDP , SI7886ADP .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.