SI7860DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7860DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8

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SI7860DP datasheet

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SI7860DP

Si7860DP Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.008 at VGS = 10 V 18 TrenchFET Power MOSFET 30 PWM Optimized for High Efficiency 0.011 at VGS = 4.5 V 15 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile

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SI7860DP

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SI7860DP

Si7864ADP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETS 2.5 V Rated RoHS 0.003 at VGS = 4.5 V 29 COMPLIANT Low 3.5 m RDS(on) 20 57 0.0042 at VGS = 2.5 V 25 PWM (Qgd and Rg) Optimized 100 % Rg Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Low

Otros transistores... SI7848DP, SI7850DP, SI7852ADP, SI7852DP, SI7856ADP, SI7858ADP, SI7858BDP, SI7860ADP, BS170, SI7862ADP, SI7866ADP, SI7868ADP, SI7880ADP, SI7882DP, SI7884BDP, SI7886ADP, SI7888DP