SI7862ADP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7862ADP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 16 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2180 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Encapsulados: POWERPAK-SO-8
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SI7862ADP datasheet
si7862adp.pdf
Si7862ADP Vishay Siliconix N-Channel 16-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETS 2.5 V Rated RoHS 0.003 at VGS = 4.5 V 29 COMPLIANT Low 3.3 m RDS(on) 16 54 0.0055 at VGS = 2.5 V 23 Low Gate Resistance 100 % Rg Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Synchron
si7864adp.pdf
Si7864ADP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETS 2.5 V Rated RoHS 0.003 at VGS = 4.5 V 29 COMPLIANT Low 3.5 m RDS(on) 20 57 0.0042 at VGS = 2.5 V 25 PWM (Qgd and Rg) Optimized 100 % Rg Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Low
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History: SI7860ADP | IPB080N03L
🌐 : EN ES РУ
Liste
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