SI7862ADP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI7862ADP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 16 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

Аналог (замена) для SI7862ADP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7862ADP даташит

 ..1. Size:461K  vishay
 si7862adp.pdf pdf_icon

SI7862ADP

Si7862ADP Vishay Siliconix N-Channel 16-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETS 2.5 V Rated RoHS 0.003 at VGS = 4.5 V 29 COMPLIANT Low 3.3 m RDS(on) 16 54 0.0055 at VGS = 2.5 V 23 Low Gate Resistance 100 % Rg Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Synchron

 9.1. Size:465K  vishay
 si7860adp si7880adp.pdf pdf_icon

SI7862ADP

 9.2. Size:462K  vishay
 si7860ad.pdf pdf_icon

SI7862ADP

 9.3. Size:80K  vishay
 si7864adp.pdf pdf_icon

SI7862ADP

Si7864ADP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETS 2.5 V Rated RoHS 0.003 at VGS = 4.5 V 29 COMPLIANT Low 3.5 m RDS(on) 20 57 0.0042 at VGS = 2.5 V 25 PWM (Qgd and Rg) Optimized 100 % Rg Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI7850DP, SI7852ADP, SI7852DP, SI7856ADP, SI7858ADP, SI7858BDP, SI7860ADP, SI7860DP, 4N60, SI7866ADP, SI7868ADP, SI7880ADP, SI7882DP, SI7884BDP, SI7886ADP, SI7888DP, SI7892BDP