Справочник MOSFET. SI7862ADP

 

SI7862ADP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7862ADP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
 

 Аналог (замена) для SI7862ADP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7862ADP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:461K  vishay
si7862adp.pdfpdf_icon

SI7862ADP

Si7862ADPVishay SiliconixN-Channel 16-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETS: 2.5 V RatedRoHS0.003 at VGS = 4.5 V 29COMPLIANT Low 3.3 m RDS(on)16 540.0055 at VGS = 2.5 V 23 Low Gate Resistance 100 % Rg Tested APPLICATIONSPowerPAK SO-8 Synchron

 9.1. Size:465K  vishay
si7860adp si7880adp.pdfpdf_icon

SI7862ADP

Si7860ADPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0095 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Power MOSFET300.0125 at VGS = 4.5 V PWM Optimized for High Efficiency16 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile

 9.2. Size:462K  vishay
si7860ad.pdfpdf_icon

SI7862ADP

Si7860ADPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0095 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Power MOSFET300.0125 at VGS = 4.5 V PWM Optimized for High Efficiency16 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile

 9.3. Size:80K  vishay
si7864adp.pdfpdf_icon

SI7862ADP

Si7864ADPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETS: 2.5 V RatedRoHS0.003 at VGS = 4.5 V 29COMPLIANT Low 3.5 m RDS(on)20 570.0042 at VGS = 2.5 V 25 PWM (Qgd and Rg) Optimized 100 % Rg TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Low

Другие MOSFET... SI7850DP , SI7852ADP , SI7852DP , SI7856ADP , SI7858ADP , SI7858BDP , SI7860ADP , SI7860DP , 10N65 , SI7866ADP , SI7868ADP , SI7880ADP , SI7882DP , SI7884BDP , SI7886ADP , SI7888DP , SI7892BDP .

 

 
Back to Top

 


 
.