SI7866ADP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7866ADP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1285 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8

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SI7866ADP datasheet

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SI7866ADP

Si7866ADP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0024 at VGS = 10 V 40 Low RDS(on) COMPLIANT 20 39 nC 0.0030 at VGS = 4.5 V 40 PWM (Qgd and Rg) Optimized 100 % Rg Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Low-Side MOSFET in Syn

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SI7866ADP

Si7866DP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES D TrenchFETr Power MOSFET PRODUCT SUMMARY D Low rDS(on) D PWM (Qgd and Rg) Optimized VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) D 100% Rg Tested 0.0025 @ VGS = 10 V 29 APPLICATIONS 20 20 0.00375 @ VGS = 4.5 V 25 D Low-Side MOSFET in Synchronous Buck DC/DC Converters in Desktops D Low Output Voltage Synchronous Rectifier PowerPAKr

 9.1. Size:465K  vishay
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SI7866ADP

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