SI7866ADP. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SI7866ADP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1285 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
Аналог (замена) для SI7866ADP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI7866ADP даташит
si7866adp.pdf
Si7866ADP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0024 at VGS = 10 V 40 Low RDS(on) COMPLIANT 20 39 nC 0.0030 at VGS = 4.5 V 40 PWM (Qgd and Rg) Optimized 100 % Rg Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Low-Side MOSFET in Syn
si7866dp.pdf
Si7866DP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES D TrenchFETr Power MOSFET PRODUCT SUMMARY D Low rDS(on) D PWM (Qgd and Rg) Optimized VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) D 100% Rg Tested 0.0025 @ VGS = 10 V 29 APPLICATIONS 20 20 0.00375 @ VGS = 4.5 V 25 D Low-Side MOSFET in Synchronous Buck DC/DC Converters in Desktops D Low Output Voltage Synchronous Rectifier PowerPAKr
Другие IGBT... SI7852ADP, SI7852DP, SI7856ADP, SI7858ADP, SI7858BDP, SI7860ADP, SI7860DP, SI7862ADP, IRFP250, SI7868ADP, SI7880ADP, SI7882DP, SI7884BDP, SI7886ADP, SI7888DP, SI7892BDP, SI7904BDN
History: BL13N25-P
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818 | 2sa763 | a933 | 2sa818 replacement








