SI7868ADP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7868ADP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1225 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00225 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8

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SI7868ADP datasheet

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SI7868ADP

Si7868ADP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.00225 at VGS = 10 V 40 COMPLIANT Low RDS(on) 20 46 nC 0.00275 at VGS = 4.5 V 40 PWM (Qgd and Rg) Optimized 100 % Rg Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Low Output Voltage

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SI7868ADP

Si7864ADP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETS 2.5 V Rated RoHS 0.003 at VGS = 4.5 V 29 COMPLIANT Low 3.5 m RDS(on) 20 57 0.0042 at VGS = 2.5 V 25 PWM (Qgd and Rg) Optimized 100 % Rg Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Low

Otros transistores... SI7852DP, SI7856ADP, SI7858ADP, SI7858BDP, SI7860ADP, SI7860DP, SI7862ADP, SI7866ADP, IRF1407, SI7880ADP, SI7882DP, SI7884BDP, SI7886ADP, SI7888DP, SI7892BDP, SI7904BDN, SI7905DN