SI7868ADP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI7868ADP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1225 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00225 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

Аналог (замена) для SI7868ADP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7868ADP даташит

 ..1. Size:468K  vishay
 si7868adp.pdf pdf_icon

SI7868ADP

Si7868ADP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.00225 at VGS = 10 V 40 COMPLIANT Low RDS(on) 20 46 nC 0.00275 at VGS = 4.5 V 40 PWM (Qgd and Rg) Optimized 100 % Rg Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Low Output Voltage

 9.1. Size:465K  vishay
 si7860adp si7880adp.pdf pdf_icon

SI7868ADP

 9.2. Size:462K  vishay
 si7860ad.pdf pdf_icon

SI7868ADP

 9.3. Size:80K  vishay
 si7864adp.pdf pdf_icon

SI7868ADP

Si7864ADP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETS 2.5 V Rated RoHS 0.003 at VGS = 4.5 V 29 COMPLIANT Low 3.5 m RDS(on) 20 57 0.0042 at VGS = 2.5 V 25 PWM (Qgd and Rg) Optimized 100 % Rg Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI7852DP, SI7856ADP, SI7858ADP, SI7858BDP, SI7860ADP, SI7860DP, SI7862ADP, SI7866ADP, IRF1407, SI7880ADP, SI7882DP, SI7884BDP, SI7886ADP, SI7888DP, SI7892BDP, SI7904BDN, SI7905DN