SI7892BDP Todos los transistores

 

SI7892BDP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7892BDP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.8 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Tiempo de elevación (tr): 13 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 630 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0042 Ohm

Empaquetado / Estuche: PowerPAK-SO-8

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SI7892BDP Datasheet (PDF)

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Si7892BDP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free available VDS (V) RDS(on) (Ω)ID (A) Qg (Typ.) • TrenchFET® Power MOSFET RoHS 0.0042 at VGS = 10 V 25 • New Low Thermal Resistance PowerPAK® COMPLIANT 30 27 0.0057 at VGS = 4.5 V 22 Package with Low 1.07 mm Profile • Low Gate Charge • 100 % Rg Tested PowerPAK SO-8

4.1. si7892ad.pdf Size:93K _vishay

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 5.1. si7898dp.pdf Size:467K _vishay

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SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET SI7898DP (KI7898DP) ® SO-8 (DFN5X6) PowerPAK ■ Features ● VDS (V) = 150V S 6.15 mm 5.15 mm 1 S ● ID = 4.8 A (VGS = 10V) 2 S D 3 G ● RDS(ON) < 87mΩ (VGS = 10V) 4 D ● RDS(ON) < 98mΩ (VGS = 4.5V) 8 D 7 D 6 D 5 G Bottom View S ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ Parameter Symbol 10s Steady State Unit Drain-S

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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