Справочник MOSFET. SI7892BDP

 

SI7892BDP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI7892BDP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

 Аналог (замена) для SI7892BDP

 

 

SI7892BDP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:460K  vishay
 si7892bdp.pdf

SI7892BDP SI7892BDP

Si7892BDPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0042 at VGS = 10 V 25 New Low Thermal Resistance PowerPAK COMPLIANT30 270.0057 at VGS = 4.5 V 22Package with Low 1.07 mm Profile Low Gate Charge 100 % Rg Tested PowerPAK SO-8

 8.1. Size:93K  vishay
 si7892ad.pdf

SI7892BDP SI7892BDP

Si7892ADPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.0042 at VGS = 10 V 2530 25 COMPLIANT New Low Thermal Resistance PowerPAK 0.0057 at VGS = 4.5 V 22Package with Low 1.07 mm Profile Low Gate Charge 100 % Rg TestedAPPLICATION Sy

 9.1. Size:87K  vishay
 si7894adp.pdf

SI7892BDP SI7892BDP

Si7894ADPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.0036 at VGS = 10 V 25 TrenchFET Power MOSFET30 58 Optimized for Low Side Synchronous 0.0045 at VGS = 4.5 V 23Rectifier Operation New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage w

 9.2. Size:467K  vishay
 si7898dp.pdf

SI7892BDP SI7892BDP

Si7898DPVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.085 at VGS = 10 V 4.8 TrenchFET Power MOSFETs 1500.095 at VGS = 6.0 V for Fast Switching4.5 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile PWM OptimizedPowerPAK SO-8

 9.3. Size:1747K  kexin
 si7898dp.pdf

SI7892BDP SI7892BDP

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETSI7898DP (KI7898DP) SO-8 (DFN5X6)PowerPAK Features VDS (V) = 150VS6.15 mm 5.15 mm1S ID = 4.8 A (VGS = 10V)2SD3G RDS(ON) 87m (VGS = 10V)4D RDS(ON) 98m (VGS = 4.5V)8D7D6D5GBottom ViewS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 10s Steady State Unit Drain-S

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top