SI7892BDP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SI7892BDP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
Аналог (замена) для SI7892BDP
SI7892BDP Datasheet (PDF)
si7892bdp.pdf

Si7892BDPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0042 at VGS = 10 V 25 New Low Thermal Resistance PowerPAK COMPLIANT30 270.0057 at VGS = 4.5 V 22Package with Low 1.07 mm Profile Low Gate Charge 100 % Rg Tested PowerPAK SO-8
si7892ad.pdf

Si7892ADPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.0042 at VGS = 10 V 2530 25 COMPLIANT New Low Thermal Resistance PowerPAK 0.0057 at VGS = 4.5 V 22Package with Low 1.07 mm Profile Low Gate Charge 100 % Rg TestedAPPLICATION Sy
si7894adp.pdf

Si7894ADPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.0036 at VGS = 10 V 25 TrenchFET Power MOSFET30 58 Optimized for Low Side Synchronous 0.0045 at VGS = 4.5 V 23Rectifier Operation New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage w
si7898dp.pdf

Si7898DPVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.085 at VGS = 10 V 4.8 TrenchFET Power MOSFETs 1500.095 at VGS = 6.0 V for Fast Switching4.5 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile PWM OptimizedPowerPAK SO-8
Другие MOSFET... SI7862ADP , SI7866ADP , SI7868ADP , SI7880ADP , SI7882DP , SI7884BDP , SI7886ADP , SI7888DP , 4N60 , SI7904BDN , SI7905DN , SI7911DN , SI7913DN , SI7922DN , SI7923DN , SI7938DP , SI7942DP .
History: IXTH64N10L2 | HGA053N06SL | SI7888DP | IPT60R050G7 | HRLD55N03K | NCEP030N85GU | IPP80P03P4-05
History: IXTH64N10L2 | HGA053N06SL | SI7888DP | IPT60R050G7 | HRLD55N03K | NCEP030N85GU | IPP80P03P4-05



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor