SI7892BDP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI7892BDP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

Аналог (замена) для SI7892BDP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7892BDP даташит

 ..1. Size:460K  vishay
 si7892bdp.pdf pdf_icon

SI7892BDP

Si7892BDP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0042 at VGS = 10 V 25 New Low Thermal Resistance PowerPAK COMPLIANT 30 27 0.0057 at VGS = 4.5 V 22 Package with Low 1.07 mm Profile Low Gate Charge 100 % Rg Tested PowerPAK SO-8

 8.1. Size:93K  vishay
 si7892ad.pdf pdf_icon

SI7892BDP

Si7892ADP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0042 at VGS = 10 V 25 30 25 COMPLIANT New Low Thermal Resistance PowerPAK 0.0057 at VGS = 4.5 V 22 Package with Low 1.07 mm Profile Low Gate Charge 100 % Rg Tested APPLICATION Sy

 9.1. Size:87K  vishay
 si7894adp.pdf pdf_icon

SI7892BDP

Si7894ADP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Available 0.0036 at VGS = 10 V 25 TrenchFET Power MOSFET 30 58 Optimized for Low Side Synchronous 0.0045 at VGS = 4.5 V 23 Rectifier Operation New Low Thermal Resistance PowerPAK Package w

 9.2. Size:467K  vishay
 si7898dp.pdf pdf_icon

SI7892BDP

Si7898DP Vishay Siliconix N-Channel 150-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.085 at VGS = 10 V 4.8 TrenchFET Power MOSFETs 150 0.095 at VGS = 6.0 V for Fast Switching 4.5 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized PowerPAK SO-8

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI7862ADP, SI7866ADP, SI7868ADP, SI7880ADP, SI7882DP, SI7884BDP, SI7886ADP, SI7888DP, AO3407, SI7904BDN, SI7905DN, SI7911DN, SI7913DN, SI7922DN, SI7923DN, SI7938DP, SI7942DP