SI7913DN Todos los transistores

 

SI7913DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7913DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
 

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SI7913DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  vishay
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SI7913DN

Si7913DNVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.037 at VGS = - 4.5 V - 7.4 TrenchFET Power MOSFET0.048 at VGS = - 2.5 V - 20 - 6.5 New Low Thermal Resistance PowerPAK0.066 at VGS = - 1.8 V - 55Package APPLICATIONS PortablePowerP

 9.1. Size:543K  vishay
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SI7913DN

Si7911DNVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETS: 1.8 V Rated0.051 at VGS = - 4.5 V - 5.7 New Low Thermal Resistance PowerPAK RoHSCOMPLIANT0.067 at VGS = - 2.5 V - 20 - 5.0 Package0.094 at VGS = - 1.8 V - 4.2APPLICATIONS Portable

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History: AO4294 | FHF10N65A | NCE8205I | IPB031NE7N3G | SM1A18NSQG | 2SK1608

 

 
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