Справочник MOSFET. SI7913DN

 

SI7913DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI7913DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8

 Аналог (замена) для SI7913DN

 

 

SI7913DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  vishay
 si7913dn.pdf

SI7913DN SI7913DN

Si7913DNVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.037 at VGS = - 4.5 V - 7.4 TrenchFET Power MOSFET0.048 at VGS = - 2.5 V - 20 - 6.5 New Low Thermal Resistance PowerPAK0.066 at VGS = - 1.8 V - 55Package APPLICATIONS PortablePowerP

 9.1. Size:543K  vishay
 si7911dn.pdf

SI7913DN SI7913DN

Si7911DNVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETS: 1.8 V Rated0.051 at VGS = - 4.5 V - 5.7 New Low Thermal Resistance PowerPAK RoHSCOMPLIANT0.067 at VGS = - 2.5 V - 20 - 5.0 Package0.094 at VGS = - 1.8 V - 4.2APPLICATIONS Portable

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top