SI7922DN Todos los transistores

 

SI7922DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7922DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.195 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
 

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SI7922DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  vishay
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SI7922DN

Si7922DNVishay SiliconixDual N-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.195 at VGS = 10 V 2.5 New Low Thermal Resistance PowerPAKRoHS100COMPLIANTPackage, 1/3 the Space of An SO-8 While0.230 at VGS = 6 V 2.3Thermally Comparable PWM OptimizedAPPLICATIO

 9.1. Size:563K  vishay
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SI7922DN

Si7925DNVishay SiliconixDual P-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated0.042 at VGS = - 4.5 V - 6.5RoHS0.058 at VGS = - 2.5 V - 12 - 5.5COMPLIANTAPPLICATIONS0.082 at VGS = - 1.8 V - 1.2 Load Switch PA Switch Battery Switch Bi-Dire

 9.2. Size:543K  vishay
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SI7922DN

Si7923DNVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.047 at VGS = - 10 V - 6.4 TrenchFET Power MOSFET- 300.075 at VGS = - 4.5 V - 5 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package APPLICATIONS PortablePowerPAK 1212-8- Battery Switch- L

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History: VBZE45N03 | ZVN0545ASTOB

 

 
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