SI7922DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI7922DN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.2 nC
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.195 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
SI7922DN Datasheet (PDF)
si7922dn.pdf
Si7922DNVishay SiliconixDual N-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.195 at VGS = 10 V 2.5 New Low Thermal Resistance PowerPAKRoHS100COMPLIANTPackage, 1/3 the Space of An SO-8 While0.230 at VGS = 6 V 2.3Thermally Comparable PWM OptimizedAPPLICATIO
si7925dn.pdf
Si7925DNVishay SiliconixDual P-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated0.042 at VGS = - 4.5 V - 6.5RoHS0.058 at VGS = - 2.5 V - 12 - 5.5COMPLIANTAPPLICATIONS0.082 at VGS = - 1.8 V - 1.2 Load Switch PA Switch Battery Switch Bi-Dire
si7923dn.pdf
Si7923DNVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.047 at VGS = - 10 V - 6.4 TrenchFET Power MOSFET- 300.075 at VGS = - 4.5 V - 5 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package APPLICATIONS PortablePowerPAK 1212-8- Battery Switch- L
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
