SI8806DB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI8806DB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
Encapsulados: MICRO-FOOT
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SI8806DB datasheet
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