SI8809EDB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI8809EDB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: MICRO-FOOT
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SI8809EDB Datasheet (PDF)
Otros transistores... SI8489EDB , SI8497DB , SI8499DB , SI8800EDB , SI8802DB , SI8805EDB , SI8806DB , SI8808DB , K3569 , SI8810 , SI8810EDB , SI8812DB , SI8816EDB , SI8817DB , SI8819EDB , SI8821EDB , SI8822 .
History: CJV01N65B | DHS021N04E | IXFT74N20
History: CJV01N65B | DHS021N04E | IXFT74N20



Liste
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