SI8809EDB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI8809EDB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Encapsulados: MICRO-FOOT
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SI8809EDB datasheet
Otros transistores... SI8489EDB, SI8497DB, SI8499DB, SI8800EDB, SI8802DB, SI8805EDB, SI8806DB, SI8808DB, IRF9540, SI8810, SI8810EDB, SI8812DB, SI8816EDB, SI8817DB, SI8819EDB, SI8821EDB, SI8822
History: STB9NK50Z-1 | AGM16N65F
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
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