SI8812DB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI8812DB
   Código: AG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.059 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICRO-FOOT

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI8812DB

SI8812DB Datasheet (PDF)

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SI8810Features Low RDS(ON) Rugged and Reliable ESD Protected Gate Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSN-Channel MOSFETCompliant. See Ordering Information) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"Maximum Ratings Operating Junction Tempera

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: