SI8816EDB MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SI8816EDB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI8816EDB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.109 Ohm

Encapsulados: MICRO-FOOT-0.8X0.8

Búsqueda de reemplazo de SI8816EDB MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:130K vishay
si8816edb.pdf pdf_icon

9.1. Size:224K vishay
si8812db.pdf pdf_icon

9.2. Size:545K vishay
si8810.pdf pdf_icon

9.3. Size:134K vishay
si8817db.pdf pdf_icon

🌐 : EN ES РУ