SI9424DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI9424DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de SI9424DY MOSFET
SI9424DY Datasheet (PDF)
si9424dy-t1-e3.pdf
SI9424DY-T1-E3www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definitiona0.015 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET- 13a 100 % Rg Tested0.026 at VGS = - 2.5 V - 20 20 nC- 10 Built in ESD Protection with Zener Diode0.065 at VGS = - 1.8 V - 8 Ty
Otros transistores... SI8817DB , SI8819EDB , SI8821EDB , SI8822 , SI8851EDB , SI9407BDY , SI9410BDY , SI9424BDY , IRF9540N , SI9433BDY , SI9434BDY , SI9926CDY , SI9933CDY , SI9934BDY , SI9945BDY , JCS5N50VT , JCS5N50RT .
History: 5N65KG-TF2-T | 5N65KG-TA3-T | IRFS4127PBF | IRFS3507PBF | IRFB3077 | 5N60G-TM3-T
History: 5N65KG-TF2-T | 5N65KG-TA3-T | IRFS4127PBF | IRFS3507PBF | IRFB3077 | 5N60G-TM3-T
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: FTP06N06N | MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50
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