MDD3752ARH Todos los transistores

 

MDD3752ARH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDD3752ARH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 32.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 233 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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MDD3752ARH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:858K  magnachip
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MDD3752ARH

MDD3752A P-Channel Trench MOSFET, -40V, -43A, 17m Features General Description V = -40V DSThe MDD3752A uses advanced MagnaChips Trench I = -43A @V = -10V D GSMOSFET Technology to provided high performance in on- R DS(ON)state resistance, switching performance and reliability.

 7.1. Size:755K  magnachip
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MDD3752ARH

MDD3752 P-Channel Trench MOSFET, -40V, -43A, 17m Features General Description V = -40V DSThe MDD3752 uses advanced MagnaChips Trench I = -43A @V = -10V D GSMOSFET Technology to provided high performance in on- R DS(ON)state resistance, switching performance and reliability.

 7.2. Size:890K  cn vbsemi
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MDD3752ARH

MDD3752RHwww.VBsemi.twP-Channel 4 0 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = -10 V 0.012 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.015ID (A) -50Configuration SingleTO-252SGDDG SP-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, un

 8.1. Size:683K  magnachip
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MDD3752ARH

MDD3754 P-Channel Trench MOSFET, -40V, -24.4A, 43m Features General Description VDS = -40V The MDD3754 uses advanced MagnaChips Trench I = -24.4A @V = -10V D GSMOSFET Technology to provided high performance in on- RDS(ON) state resistance, switching performance and reliability.

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History: AOT9N70

 

 
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