MDD3752ARH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDD3752ARH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 233 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MDD3752ARH
MDD3752ARH Datasheet (PDF)
mdd3752arh.pdf
MDD3752A P-Channel Trench MOSFET, -40V, -43A, 17m Features General Description V = -40V DSThe MDD3752A uses advanced MagnaChips Trench I = -43A @V = -10V D GSMOSFET Technology to provided high performance in on- R DS(ON)state resistance, switching performance and reliability.
mdd3752rh.pdf
MDD3752 P-Channel Trench MOSFET, -40V, -43A, 17m Features General Description V = -40V DSThe MDD3752 uses advanced MagnaChips Trench I = -43A @V = -10V D GSMOSFET Technology to provided high performance in on- R DS(ON)state resistance, switching performance and reliability.
mdd3752rh.pdf
MDD3752RHwww.VBsemi.twP-Channel 4 0 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = -10 V 0.012 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.015ID (A) -50Configuration SingleTO-252SGDDG SP-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, un
mdd3754rh.pdf
MDD3754 P-Channel Trench MOSFET, -40V, -24.4A, 43m Features General Description VDS = -40V The MDD3754 uses advanced MagnaChips Trench I = -24.4A @V = -10V D GSMOSFET Technology to provided high performance in on- RDS(ON) state resistance, switching performance and reliability.
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Liste
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