Справочник MOSFET. MDD3752ARH

 

MDD3752ARH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDD3752ARH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 233 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MDD3752ARH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDD3752ARH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:858K  magnachip
 mdd3752arh.pdf pdf_icon

MDD3752ARH

MDD3752A P-Channel Trench MOSFET, -40V, -43A, 17m Features General Description V = -40V DSThe MDD3752A uses advanced MagnaChips Trench I = -43A @V = -10V D GSMOSFET Technology to provided high performance in on- R DS(ON)state resistance, switching performance and reliability.

 7.1. Size:755K  magnachip
 mdd3752rh.pdf pdf_icon

MDD3752ARH

MDD3752 P-Channel Trench MOSFET, -40V, -43A, 17m Features General Description V = -40V DSThe MDD3752 uses advanced MagnaChips Trench I = -43A @V = -10V D GSMOSFET Technology to provided high performance in on- R DS(ON)state resistance, switching performance and reliability.

 7.2. Size:890K  cn vbsemi
 mdd3752rh.pdf pdf_icon

MDD3752ARH

MDD3752RHwww.VBsemi.twP-Channel 4 0 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = -10 V 0.012 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.015ID (A) -50Configuration SingleTO-252SGDDG SP-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, un

 8.1. Size:683K  magnachip
 mdd3754rh.pdf pdf_icon

MDD3752ARH

MDD3754 P-Channel Trench MOSFET, -40V, -24.4A, 43m Features General Description VDS = -40V The MDD3754 uses advanced MagnaChips Trench I = -24.4A @V = -10V D GSMOSFET Technology to provided high performance in on- RDS(ON) state resistance, switching performance and reliability.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MDD1754RH , MDD1851RH , MDD1901RH , MDD1902RH , MDD1903RH , MDD1904RH , MDD1951RH , MDD2N60RH , EMB04N03H , MDD3752RH , MDD3754RH , MDD3N40RH , MDD3N50GRH , MDD4N20YRH , MDD4N25RH , MDD4N60BRH , MDD5N40RH .

History: HAT2037T | 2N5454

 

 
Back to Top

 


 
.