MDD6N60GRH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDD6N60GRH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.45 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MDD6N60GRH MOSFET
MDD6N60GRH Datasheet (PDF)
mdd6n60grh.pdf

MDD6N60G N-Channel MOSFET 600V, 4.5A, 1.45General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 600V MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- ID = 4.5A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 1.45 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for SMPS, high S
Otros transistores... MDD3N50GRH , MDD4N20YRH , MDD4N25RH , MDD4N60BRH , MDD5N40RH , MDD5N50FRH , MDD5N50RH , MDD5N50ZRH , IRF3205 , MDD7N20CRH , MDD7N25RH , MDD9N40RH , MDE1752RH , MDF10N50TH , MDF10N60BTH , MDF10N60GTH , MDF10N65BTH .



Liste
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