Справочник MOSFET. MDD6N60GRH

 

MDD6N60GRH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDD6N60GRH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15.3 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.45 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MDD6N60GRH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDD6N60GRH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:833K  magnachip
 mdd6n60grh.pdf pdf_icon

MDD6N60GRH

MDD6N60G N-Channel MOSFET 600V, 4.5A, 1.45General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 600V MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- ID = 4.5A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 1.45 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for SMPS, high S

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SIF4N70C | SIF2N70D

 

 
Back to Top

 


 
.