Справочник MOSFET. MDD6N60GRH

 

MDD6N60GRH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDD6N60GRH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.45 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MDD6N60GRH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDD6N60GRH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:833K  magnachip
 mdd6n60grh.pdf pdf_icon

MDD6N60GRH

MDD6N60G N-Channel MOSFET 600V, 4.5A, 1.45General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 600V MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- ID = 4.5A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 1.45 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for SMPS, high S

Другие MOSFET... MDD3N50GRH , MDD4N20YRH , MDD4N25RH , MDD4N60BRH , MDD5N40RH , MDD5N50FRH , MDD5N50RH , MDD5N50ZRH , IRF3205 , MDD7N20CRH , MDD7N25RH , MDD9N40RH , MDE1752RH , MDF10N50TH , MDF10N60BTH , MDF10N60GTH , MDF10N65BTH .

 

 
Back to Top

 


 
.