MDD6N60GRH - описание и поиск аналогов

 

MDD6N60GRH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDD6N60GRH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.45 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MDD6N60GRH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDD6N60GRH даташит

 ..1. Size:833K  magnachip
 mdd6n60grh.pdf pdf_icon

MDD6N60GRH

MDD6N60G N-Channel MOSFET 600V, 4.5A, 1.45 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 600V MagnaChip s MOSFET Technology, which provides low on- ID = 4.5A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 1.45 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for SMPS, high S

Другие MOSFET... MDD3N50GRH , MDD4N20YRH , MDD4N25RH , MDD4N60BRH , MDD5N40RH , MDD5N50FRH , MDD5N50RH , MDD5N50ZRH , IRF3205 , MDD7N20CRH , MDD7N25RH , MDD9N40RH , MDE1752RH , MDF10N50TH , MDF10N60BTH , MDF10N60GTH , MDF10N65BTH .

History: IRFI9520G | SKTT077N07N | FQA10N80CF109 | HM2301BKR | FDZ375P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.